本发明公开了一种基于二硒化钨和IEICO‑4F的异质结结构及光电探测器、及其制备,通过化学气相沉积法在硅衬底上合成单层二硒化钨薄膜,再通过旋涂工艺在二硒化钨薄膜上制备出IEICO‑4F层。该异质结能带呈II型(交错)排列,有利于快速分离因入射光所生成的光生载流子而形成光电流,且随着有机半导体层厚度增加,二硒化钨的光致发光峰显著淬灭,器件表现出更加优异的光响应特性。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低、兼容硅工艺。由该异质结结构组成的光电探测器具有高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性,这为新一代基于二硒化钨的光电探测器提供新的指导意义。
声明:
“基于二硒化钨和IEICO-4F的异质结结构及光电探测器、及其制备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)