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高响应度β-Ga2O3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用

1029   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:28:45
本发明公开了高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用,属于半导体光电器件领域。该紫外探测器由下至上包括依次层叠设置的衬底、第一电极、p型宽禁带导电薄膜、本征β‑Ga2O3薄膜耗尽层、n‑β‑Ga2O3:Sn导电薄膜、n+‑β‑Ga2O3:Sn电子收集层、MgO:Na或MgO:K薄膜钝化层和第二电极,p禁带导电薄膜的禁带宽度大于3.0eV。本发明利用化学气相沉积、金属有机物气相外延、脉冲激光沉积等真空制膜方法得到高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器,有效提高了β‑Ga2O3基异质结薄膜紫外探测器的响应度,应用在日盲波段探测方面前景广阔。
声明:
“高响应度β-Ga2O3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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