本发明涉及一种基于叉指电极的PbSe薄膜中红外探测器的制备方法,包括步骤:选用清洁的石英片,用洗剂清洗石英片的衬底后,烘干石英片;用管式炉制备PbSe薄膜;用真空镀膜机制备叉指电极结构;将表面镀有银制叉指电极结构的PbSe薄膜石英片贴在PCB上,用
漆包线来联通电极与PCB表面的引脚,制得PbSe薄膜的叉指电极中红外探测器。本发明的有益效果是:采用化学气相沉积方法生长PbSe材料薄膜,制备叉指电极实现高性能的中红外探测器;采用的设备为真空镀膜机和管式炉,所用原材料为PbSe与银粒,价格低廉,操作简单,且成品能够在常温下工作且具有较好的性能,可以有效降低PbSe薄膜中红外探测器的制备成本。
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“基于叉指电极的PbSe薄膜中红外探测器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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