本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法,该日盲型紫外光电探测器,包括:导电基底,其上开设有沟道;Ga2O3纳米柱阵列,其位于所述沟道上;聚甲基丙烯酸甲酯层,其覆盖Ga2O3纳米柱阵列。本发明的日盲型紫外光电探测器,Ga2O3具有高的热稳定性和化学稳定性,其禁带宽度约为4.9eV,只对日盲区的深紫外光敏感,相比传统使用AlGaN、MgZnO等材料,Ga2O3不需要任何掺杂来调节带隙,避免了合金相的成分波动和相分离;而使用的聚甲基丙烯酸甲酯层,使得日盲型紫外光电探测器具有较低的暗电流,在低光强下仍具有较高的开关比。
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