本发明提供一种基于多重稀释法的半导体化学品ICP‑MS测定方法,包括如下步骤:首先将不能与水混合的待测定的半导体溶剂,加入助溶溶剂成为混合有机溶剂;然后将混合有机溶剂加纯水稀释得到1#稀释样品;再将1#稀释样品再加入纯水进行稀释得到2#稀释样品;对于待测定的半导体溶剂中的一种元素,以1#稀释样品,用电感耦合等离子质谱仪扫描得到标准曲线并计算出1#稀释样品的浓度C1;同理计算出2#稀释样品中该种元素的浓度C2;并将结果带入拟合算法公式,得到该元素在待测定的半导体溶剂中的浓度。本发明通过同一样品不同稀释倍数法,对混合基体ICP‑MS测定的信号值进行背景拟合运算,实现痕量元素的准确测定。
声明:
“基于多重稀释法的半导体溶剂ICP-MS测定方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)