本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3粉末作为钼源,硫粉作为硫源,通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度,制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼薄膜,对设备要求低,实验过程简单方便、重复性高。
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