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金属紫外光电探测器的制备工艺

1052   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:47
本发明公开了一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺。其技术方案是:利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量。利用GaN样品成功地制备了MSM结构GaN紫外光电探测器。本发明的特点是:GaN基材料还具有很高的热导率和电子饱和速度,极高的击穿电场,稳定的物理和化学特性。MSM结构因其平面型、制备工艺相对简单、无需制作p2n结、避开掺杂和欧姆接触等问题容易获得高量子效率、高响应速度以及便于单片光电集成等诸多优点而倍受青睐。
声明:
“金属紫外光电探测器的制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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