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变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器

736   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:27:10
本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器,为PIN结构,以自支撑n型GaN作为衬底,在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层;在p型GaN和n型衬底上沉积金属并做退火处理形成欧姆接触电极;在p型GaN层上沉积10BC4或6LiF作为中子转换层。AlGaN/GaN变掺杂变组分结构内部具有内建电场,当中子照射到10BC4或6LiF后发生核反应产生α粒子,α粒子电离AlGaN/GaN产生电子空穴对,该电场驱动电子、空穴分别向n型和p型电极两端定向运动,有利于收集效率的提高和漏电流的减小,从而提高了中子探测器的灵敏度以及探测效率。
声明:
“变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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