本发明公开了一种碲化锑光电探测器件及其制备方法,方法包括:在衬底上蒸镀Sb
2Te
3薄膜生长的催化层;在具有催化层的衬底上蒸镀Sb
2Te
3薄膜;对Sb
2Te
3薄膜进行退火处理;在完成退火处理的Sb
2Te
3薄膜上蒸镀第一有机材料形成增强吸收层,形成衬底材料/Sb
2Te
3/第一有机材料异质结;在异质结两端制备电极得到碲化锑光电探测器件或线列,在可见光‑近红外波段的吸收明显提高并拥有较高的电子迁移率。本方法相比于化学气相沉积法(CVD)、分子束外延(MBE)、磁控溅射等镀膜方法,制备周期短,操作简单且制备的探测器性能优异,对新型低维材料、拓扑绝缘体光电探测器的研究提供了参考和理论实践依据。
声明:
“碲化锑光电探测器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)