本发明涉及一种具有全波长的光探测器及制备方法,该光探测器包括:一基底,在基底上生长一层ZnO或La1-xSrxMnO3膜,再在ZnO或La1-xSrxMnO3膜上生长一层La1-xSrxMnO3或ZnO膜形成异质结,ZnO/La1-xSrxMnO3异质结结构与基底一起构成光探测器的
芯片;所述的第一电极设置在ZnO膜上,第二电极设置在La1-xSrxMnO3膜上,第一电极引线和第二电极引线连接在电极上;所述的La1-xSrxMnO3,其中x为0.01-0.5。该器件采用常规分子束外延、脉冲激光淀积、化学气相沉积、溅射、物理气相沉积或超声喷雾的方法和设备,在基底上进行制备异质结形成光探测器芯片。当光照射探测器后直接产生电压信号,不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外,光生电压信号可达近百mV。
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