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用于制造直接转换的X射线探测器的半导体元件的方法

1096   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:25:57
本发明涉及一种直接转换的X射线探测器的半导体元件的制造方法，其中在半导体层（HL）上将至少一个中间层（ZS1-ZS3）和至少一个接触层（KS）以分别从溶液中无电流地化学沉积接触材料的方式施加到暴露的中间层上。根据本发明这样选择用于各个层的材料，使得至少一个中间层（ZS1-ZS3）的材料的电化学势大于半导体层（HL）的至少一个元素的电化学势，并且接触层（KS）的接触材料的电化学势大于中间层（ZS1-ZS3）的材料的电化学势。属于本发明的范围的还有：根据之前描绘的方法制造的用于直接转换的X射线探测器的半导体元件、具有这种半导体元件的X射线探测器、具有这种X射线探测器的X射线系统以及具有这种X射线探测器的CT系统。
声明：
“用于制造直接转换的X射线探测器的半导体元件的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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