本发明公开了一种单片晶圆测试多台设备的方法,包括以下步骤:应力测试仪对裸硅晶圆进行应力前置测试,获取前置应力值;将裸硅晶圆置入化学气相沉积设备中,对应力测试后的裸硅晶圆沉积氮化硅,膜厚测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行膜厚和折射率测试,获取氮化硅膜厚和折射率作为化学气相沉积设备测机参数,以及应力测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行后置应力测试,获取第一后置应力值。本方案省去多道传统检测工艺步骤,简化测机工艺流程,缩短了检测周期,减少测机片的使用,提高检测效率。
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