本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域,公开了一种,钽制结构、钽制结构的制备方法、测温孔结构、坩埚组件、测温孔防堵方法、碳化硅晶体制备方法。其中,坩埚组件包括:坩埚,包括坩埚体和坩埚盖;坩埚体由第一石墨制成,坩埚体包括相互之间可拆卸连接的坩埚上截和坩埚下截;坩埚盖由第二石墨制成,与坩埚体可拆卸连接并与坩埚体形成容置腔体;测温孔结构,测温孔结构设置在所述坩埚的上下两端。通过上述技术方案,利用碳化钽熔点高于碳化硅的升华温度这一特性,且碳化钽在高温下对硅与氢具有的化学惰性,有效避免了富硅气体对钽制结构内壁的腐蚀,阻碍碳化硅生成在测温孔中,这就不能提供大量的形核点供碳化硅后续的长大,避免了测温孔的堵塞。
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“钽制结构、测温孔结构、坩埚组件、测温孔防堵方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)