本发明公开了一种非晶Ga
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3光电探测器及其制备方法和性能提升方法,所述非晶Ga
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3光电探测器包括:衬底、沉积于所述衬底表面的掺氢非晶Ga
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3薄膜有源层和设置于所述掺氢非晶Ga
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3薄膜有源层上的电极;其中,所述掺氢非晶Ga
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3薄膜有源层为在20℃~400℃含氢气氛下,采用真空沉积法制备的非晶薄膜;所述真空沉积法包括磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束沉积、化学气相沉积中的任一方法。
声明:
“非晶Ga2O3光电探测器及其制备方法和性能提升方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)