一种浅沟槽隔离工艺的监测版图,用于监测浅沟槽隔离的工艺窗口,包括:复数组图案用于监测刻蚀工艺窗口,每一组图案包括复数个间隔分布的线条图形和开口图形,线条图形用于形成有源区,开口图形用于形成浅沟槽隔离;一种应用所述监测版图监测浅沟槽隔离工艺窗口的方法,包括:将所述监测版图通过光刻刻蚀转移半导体基底中形成沟槽,在所述沟槽中沉积介质层并进行平坦化,对刻蚀、沉积、平坦化后的半导体基底分别切割,形成断面,可监测浅沟槽隔离工艺刻蚀、沉积、化学机械研磨的工艺窗口。
声明:
“浅沟槽隔离工艺的监测版图及监测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)