本发明公开了一种基于密度泛函理论的蒽醌二胺类共轭化合物氧化还原性的预测方法,基于密度泛函理论,在B3LYP的水平上具体选用6‑31G*基组进行模拟预测。首先对这八种化合物进行几何构型的优化和振动分析,结果收敛并无虚频表明该化合物处能量最低状态。基于优化得到的稳态分子构型,分别对该系列化合物进行相应的轨道能级分析和理论吸收光谱的模拟,以及利用HOMO=‑e(φ
ox+4.74)(ev)和LUMO=‑e(φ
red+4.74)(ev)对蒽醌二胺类共轭化合物进行氧化还原性预测,表明亚胺类分子的氧化还原稳定性要好于NH类,同时亚胺类的LUMO/HOMO都低于NH的LUMO/HOMO能级,说明亚胺类结构电子注入能力较强,NH类结构空穴注入能力则较强,为循环伏安
电化学实验设定电位窗口提供了理论依据。
声明:
“基于密度泛函理论的蒽醌二胺类共轭化合物氧化还原性的预测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)