本发明提供一种相变存储器底部接触结构的形成方法,包括:提供表面形成有至少两个导电插塞结构的晶片;在该晶片的表面依次淀积刻蚀终止层、第一介电层、第二金属层;光刻、刻蚀第二金属层、第一介电层与刻蚀终止层形成开口,该开口的两个相对的侧壁分别落在两个导电插塞上;淀积第一金属层;去除相邻导电插塞之间的第一金属层;淀积第二介电层,填充所述开口;依次研磨第二介电层、第一金属层、第二金属层形成相变存储器底部接触结构,所述研磨过程中,采用感应电流法检测研磨终点。本发明还提供一种化学机械研磨终点的检测方法,不限于相变存储器底部接触结构的制作。采用本发明的技术方案,对研磨终点的判断准确,且对硬件的要求低。
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