本发明公开了一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器,属于半导体、化学传感技术领域。所述重金属离子检测传感器,包括:衬底材料上依次形成的成核层、缓冲层、InAlN背势垒层、沟道层、势垒层、钝化层以及源极、漏极和栅极;本发明引入InAlN背势垒结构抬高了缓冲层势垒,降低了器件的寄生效应、抑制缓冲层漏电流,从而提高了传感器检测的可靠性;采用半胱氨酸溶液修饰栅极,半胱氨酸的羧基和氨基与重金属离子结合成螯合物的能力较强,提高了提高传感器的灵敏度;且半胱氨酸材料无毒害、自组装修饰效果好,修饰时间较短,操作简便,有效地改善检测环境,降低了器件的生产成本。
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