本发明提出一种检测浅沟槽隔离缺陷的方法,包括下列步骤:在半导体基底上形成浅沟槽;在所述浅沟槽内沉积垫氧化层;在所述垫氧化层上沉积界面层;在所述界面层上沉积二氧化硅氧化层;对上述结构进行检测,其中,在所述垫氧化层上沉积界面层的步骤采用原子层沉积方法。本发明提出的检测浅沟槽隔离缺陷的方法,能够有效检测出浅沟槽隔离的缺陷,并缩短高密度等离子体化学气相淀积填充浅沟槽的工艺调整周期。
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