本发明涉及材料检测技术领域,且公开了一种用于高纯GaN单晶中痕量杂质元素分布的检测方法,包括以下步骤:步骤1、将待测的GaN单晶样品放置于样品室中的载物台上;步骤2、将样品室先抽真空,再通入载气,使样品室气压上升至大气压;随之抽真空,再次通载气至大气压,反复若干次;步骤3、将样品室通入载气并保持稳定气流持续吹扫样品室,引入ICP炬焰,检测各待测元素质荷比计数,直至待测元素质谱信号稳定后作为空白值。本发明无需强酸、强碱及消解设备,绿色环保,样品无需特别加工、检测方便快速、测定下限低,干扰少,灵敏准确;可直接用于高纯GaN的杂质元素含量测定和杂质元素分布平面(三维)测定;完全规避了样品化学消解带来的局限性。
声明:
“用于高纯GaN单晶中痕量杂质元素分布的检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)