本发明提供一种浅沟道隔离结构中的孔洞缺陷的检测方法,包括:提供一衬底,所述衬底中形成有浅沟道隔离结构,所述衬底上形成有
多晶硅层;刻蚀所述多晶硅层以形成第一沟槽;形成锗硅结构,同时,所述浅沟道隔离结构中形成孔洞缺陷;在所述多晶硅层上形成一介质层,并通过化学机械研磨、刻蚀、湿法清洗工艺去除介质层、多晶硅层、部分厚度的衬底以及部分浅沟道隔离结构以露出所述孔洞缺陷,并对所述孔洞缺陷进行检测。在所述多晶硅层上形成介质层,并进行化学机械研磨工艺,减小了去除所述多晶硅层对所述衬底的压应力,避免所述浅沟道隔离结构中的所述孔洞缺陷遭受挤压,使得该孔洞缺陷的形貌保持完整,保证了该孔洞缺陷后续能够完整地得到检测。
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