本发明涉及硅晶体生产技术领域,特别是一种硅晶体缺陷检测方法,包括以下步骤,提供测试样品;切割并研磨测试样品;化学抛光:采用混合酸配制的抛光液对测试样品表面进行抛光;化学腐蚀:采用腐蚀液对测试样品表面进行腐蚀,经过13‑18min硅晶体的缺陷显露出来。采用上述方法后,本发明可以有效检测硅晶体中边缘不纯、高不纯度、位错等缺陷,极大的提升了
电池片的发电效率;增加了电池组件的使用寿命,提升了
光伏发电系统的稳定性。
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