本发明涉及一种衰减全反射表面增强红外基底制备方法,以及利用该基底进行检测的方法,属于光谱检测技术领域;现有技术的检测方法精准度不高,本发明提供的基底及检测方法,在
电化学池的底部形成金属薄膜电极,在底部的另一侧上生长纳米柱阵列,再将半球形透镜固定于纳米柱阵列固定于电化学池的底部生长有纳米柱阵列一侧,提高了检测精度。
声明:
“表面增强红外基底制备及纳米柱阵列偏离角检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)