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在化学气相沉积系统中对于外延生长结构的厚度均匀性控制

921   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:08:33
本文中描述用于改进晶片上的外延生长膜或层的总体厚度控制及径向厚度轮廓的系统及方法。在若干实施例中,使用对径向内部区域及径向外部区域处的厚度的连续原位测量来控制对应前体及/或稀释气体流率。可使用白光反射测量术通过反应器外壳中的视口来进行此类测量。
声明:
“在化学气相沉积系统中对于外延生长结构的厚度均匀性控制” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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