本发明公开了一种检测
芯片内部节点电位的方法,包含如下步骤:选取样品芯片,对样品芯片的背面进行研磨至目标层次;采用化学腐蚀的方法继续腐蚀样品芯片的背面,至绝缘隔离层露出;采用聚焦离子束机台,穿越绝缘层刻蚀出连接通路,并采用铂金属进行填充,并在连接通路的末端形成焊盘;将样品芯片转移至手动测试机台,使用接地电位的探针对焊盘进行预扎针,释放电荷;对探针施加相应的测试信号,进行样品芯片的测试,检测焊盘节点信号的变化。上述方法对多层次金属互联实现了正反面都可以实施电位检测,改善芯片失效分析水平。
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