等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统及方法,属于二维材料制备技术领域。所述系统包括真空系统、衬底加热系统、等离子体增强系统和进气管路;真空系统含有镀膜腔室和进样腔室,在镀膜腔室和进样腔室上均分别设有进气口、出气口以及多个观测窗口。本发明旨在利用等离子体辅助促成前驱体反应裂解,并在超高真空下实现对衬底表面和腔体的清洁,在通过特殊设计进气管路进行前驱体定点供给,从而实现在多种材料表面上制备二维材料。本发明强调环境和表面的超高清洁对于二维材料生长的辅助作用,并以此系统与方法实现二维薄膜材料的生长,取消传统的转移过程对材料的破坏以及高温生长对衬底的局限性。
声明:
“等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统及方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)