本发明涉及一种半导体晶圆用化学机械抛光设备,包括由上至下依次设置的晶圆夹持总成、研磨浆液控制装置、CMP装置。本发明结构简单,摒弃传统的磨床结构,不直接控制驱动晶圆转动的电机主轴升降,而是设置安装筒,并将晶圆的校验水平装置与电机主轴联动,一齐设置在安装筒内,通过对安装筒单独的线性驱动直接进行升降,精度更高,隔离电机震动的问题,也能够解决在接触瞬间的啃咬问题,同时通过研磨浆液控制装置在晶圆和抛光板之间形成均质的环状水膜层,既能够避免气隙的问题产生,又能够稳定抛光的过程,便于激光干涉的监测,提升抛光精度。
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