本发明属于技术领域,具体涉及一种基于中红外漫反射光谱技术结合化学计量学偏最小二乘法的β‑HMX晶型纯度检测方法。该检测方法采用中红外漫反射光谱技术结合化学计量学偏最小二乘法建立β‑HMX晶型纯度定量校正模型及相应的晶型纯度测试方法。所建多变量校正模型可以分析重叠光谱和宽谱带,适用于含有α‑HMX杂质晶型的β‑HMX产品的晶型纯度分析。
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“基于中红外漫反射光谱技术的β-HMX晶型纯度检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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