本发明涉及利用模板
电化学合成技术制备多层纳米线的方法;采用三个电镀槽,利用三电极体系进行控电位沉积;先将二次阳极
氧化铝膜电极置于NiFe电镀槽中,控电位沉积NiFe合金,经超声清洗,快速转换至Cu电镀槽中,控电位沉积Cu,后经超声清洗,快速转换至Co电镀槽中,控电位沉积Co,然后经超声清洗,快速转换至Cu电镀槽中,控电位沉积Cu,为1个周期,如此重复,获得NiFe/Cu/Co/Cu多层纳米线。利用本发明方法制备的NiFe/Cu/Co/Cu自旋阀多层纳米线的巨磁电阻(GMR)效应,可制作高密度磁随机存储器、巨磁电阻读出磁头、高灵敏度磁传感器等,在信息存储、自动测量等领域有着广阔的应用前景。
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