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基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用

849   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:03:20
一种半导体制造技术领域的基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用方法,该单晶硅表面结构的表面为绒面且均匀分布有高度为1-3μm的金字塔结构,该金字塔结构的尖锐的棱边被平滑化且没有尖锐的顶角和棱边的单晶硅表面形貌。本发明通过对其少子寿命、表面反射率等参数的测量,发现其效果更优于普通碱液制绒的金字塔绒面。
声明:
“基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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