本发明提供了一种锗的化学机械抛光方法,该方法包括以下步骤:a.提供待抛光的晶圆,该晶圆具有生长完成的锗沟槽,锗沟槽之间为测量隔离区;b.确认锗沟槽与测量隔离区齐平的最低图形密度ρ;c.在晶圆上图形密度小于等于ρ的锗沟槽上涂覆光刻胶;d.对未被光刻胶覆盖的区域进行离子注入处理;e.去除光刻胶;f.对所述晶圆进行化学机械抛光。本发明在完成外延生长单晶Ge沟槽后,选择性的对高密度图形区的凸起Ge沟道进行离子注入,然后再进行Ge的CMP,提高CMP过程中对高密度去凸出部分的材料移除速率。这样可以避免因图形密度不同而造成Ge材料移除速率的差异,从而改善Ge沟道CMP后的局部均匀性。
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