本发明提供了一种化学机械抛光模拟方法,包括,选择集成电路版图中的任意一根互连线为研究对象;以所述研究对象为基准,在所述集成电路版图所在的平面内,分别向所述研究对象的至少四个方向延展一个平坦化长度,形成所述研究对象的划分窗格;提取所述研究对象的划分窗格中版图结构的特征参数,所述特征参数至少包括等效密度、等效线宽和等效间距中的两个;根据所述特征参数,采用化学机械抛光模型进行化学机械抛光模拟;得到所述研究对象的金属碟形和/或介质侵蚀模拟结果。这种模拟方法使得CMP模拟过程更加准确,更加符合CMP的物理化学机理,从而能够得到更加精确的CMP模拟后
芯片表面形貌,确保芯片良率和性能预测的准确性。
声明:
“化学机械抛光模拟方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)