本发明涉及一种化学场效应晶体管气敏传感器及其制造方法,所述气敏传感器具有至少一个场效应晶体管,其包括:半导体衬底;形成在半导体衬底上的源区、漏区;形成在源区与漏区之间的衬底表面上的沟道区;形成在沟道区上的绝缘层;以及形成在绝缘层上的敏感层,其作为栅极。以及将相同和/或不同栅区氧化层面积、形状、沟道宽长比和/或栅氧化层厚度的多个场效应晶体管组成传感器阵列。与普通MOSFET化学场效应管相比,本发明中的化学场效应管将金属或
多晶硅栅极去掉,通过器件的开关状态变化分辨气体种类并测量气体浓度,具有灵敏度高、制造成本低等优点。
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