本发明公开了一种化学机械研磨工艺建模的实验方法和测试方法,属于集成电路制造工艺和版图设计技术领域。所述方法包括:金属沉积、CMP第1步、CMP第2步和CMP第3步。测试方法分为2大类,在金属沉积、CMP第1步和CMP第2步工艺后分别使用原子力显微镜测量表面起伏和用扫描电子显微镜测量横截面的厚度,在CMP第3步工艺后,除了使用以上的两种测试方法,还增加电阻和电容测量。本发明提供了完整的化学机械研磨工艺建模的实验方法和测试方法,一次流片获得的测量数据就可以完成建模提参、验证和真实产品设计测试验证所需要的数据,在完成本发明的流程后,模型完全可以交付给工厂使用,大大降低了建模成本,减少了建模时间。
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