本发明涉及化学机械抛光装置及其方法,该装置包括:抛光头,以使晶片位于下侧的状态对晶片加压并使其旋转;垫高测定部,在化学机械抛光工序过程中,获取抛光垫的半径方向上的高度偏差;调节器,具有臂部和调节盘,臂部以铰链轴为中心旋回旋转规定角度,调节盘将抛光垫压向臂部的下侧并进行旋转;控制部,在第二位置上以第二旋回速度对臂部的旋回速度进行调节,第二位置上的抛光垫的高度高于第一位置上的高度,第二旋回速度小于第一旋回速度,由此,通过调节调节盘的旋回速度,能够缓和在抛光垫的不同位置上的高度偏差,因此,即便相同的施压力作用于晶片,根据抛光垫的高度偏差,摩擦力不同,从而能够按各区域调节晶片的每小时的抛光量。
声明:
“化学机械抛光装置及其方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)