本发明公开了一种化学机械抛光中研磨垫沟槽加工方法,包括以下步骤,第一步,测量使用到寿命的研磨垫沟槽剩余深度分布;第二步,将硅片运动轨迹所覆盖的研磨垫区域分成等分的几个区域;第三步,分别计算每个区域沟槽深度的平均值;第四步,计算沟槽加工时深度所需要的补正值;第五步,以原深度加第四步中得到的补正值作为沟槽的深度加工沟槽。本发明适用于化学机械抛光中研磨垫沟槽加工。
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