本发明公开了一种化学机械研磨工艺的优化方法,该方法包括:A、提供一实验样品,并按照当前的化学机械研磨CMP工艺参数对实验样品进行CMP工艺后,采用等离子体增强化学气相沉积PE-CVD工艺在实验样品表面形成氮化硅SiN;B、采用离子束沉积工艺在SiN的表面形成金属钨,然后按照冠状方向对实验样品进行切割,并获取实验样品的纵截面;C、采用透射电子显微镜TEM测量实验样品的纵截面中实验样品的参数,如果实验样品的参数不满足工艺标准,则调整当前的CMP工艺参数,并执行步骤A;如果实验样品的参数满足工艺标准,则结束流程。采用该方法能够对CMP工艺进行优化。
声明:
“化学机械研磨工艺的优化方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)