本发明公开了一种近化学计量比铌酸锂晶体的生长方法,其经过步骤(1)~(5)后得到近化学计量比铌酸锂晶体,且在步骤(3)中加入掺入量为0.3~2.0mol.%的Nd2O3或Er2O3,在步骤(4)中对Pt坩埚进行密封Pt坩埚,在步骤(5)中用坩埚下降法生长晶体,生长晶体的参数为:炉体温度为1250~1350℃,接种温度为1100~1200℃,温度梯度为80~120℃,下降速度为1~3mm/h,待晶体生长结束后,以20~80℃/h下降炉温至室温;这样能得到较大和质量较高的晶体,铌酸锂晶体中-OH的量也较低,测定得到本发明得到的铌酸锂晶体中的
稀土金属离子Nd和Er具有较长的荧光寿命,从具体实施结果比较,本发明得到的晶体,掺杂其中的稀土金属离子Nd和Er的荧光寿命比现有生长方法得到的晶体掺杂其中的Nd和Er的荧光寿命长3倍多。
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