本发明公开了一种等离子增强化学气相沉积装置及其沉积方法,涉及半导体技术领域。该等离子增强化学气相沉积装置包括沉积室、盖板、测量机构、加热盘、喷气盘和升降机构。盖板盖设于沉积室上,且共同围成沉积空腔,升降机构安装于盖板上,且与喷气盘连接,喷气盘平行间隔地设置于加热盘的上方,升降机构用于沿预设方向带动喷气盘靠近或者远离加热盘,测量机构夹持于喷气盘和加热盘之间,测量机构用于在等离子增强化学气相沉积装置处于工作温度下测量喷气盘与加热盘之间的实际间距。本发明提供的等离子增强化学气相沉积装置能够精确测量工作温度下喷气盘和加热盘之间的间距并对其进行调整,保证沉积膜层的均匀性,提高产品质量。
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