本实用新型涉及一种CVD设备。所述CVD设备包括腔体、设置在所述腔体内的顶板和衬底支撑座,所述顶板与所述衬底支撑座相对设置,所述衬底支撑座具有面向所述顶板的衬底支撑面,待处理衬底设置于所述衬底支撑面,所述顶板具有面向所述衬底支撑座的第一表面和背离所述衬底支撑座的第二表面;所述化学气相沉积设备进一步包括至少一探测孔和至少一温度探测器;所述探测孔从所述腔体的外侧向所述腔体内延伸,并从所述顶板第二表面一侧延伸至所述顶板,但不穿透所述顶板;所述温度探测器通过所述探测孔探测所述顶板的温度,以获得所述顶板第一表面的温度。本实用新型的CVD设备能够有效检测所述顶板面向所述衬底支撑座的第一表面的温度。
声明:
“化学气相沉积设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)