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高密度培养两歧双杆菌的化学去胁迫法

776   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:00:44
本发明提供了一种高密度培养两歧双歧杆菌的化学去胁迫法,包括以下步骤:a.配制两歧双歧杆菌的培养基;b.步骤(a)配制的培养基中添加抗氧化剂,并进行灭菌处理;c.接种;d.培养过程中继续补加抗氧化剂;e.培养结束后,采用平板计数法进行活菌计数。所述步骤(b)中的抗氧化剂为异抗坏血酸钠,所述步骤(d)中的抗氧化剂为抗坏血酸钠。本发明提供的化学去胁迫法能够提升两歧双歧杆菌的培养密度,提升益生菌的培养效率,节约生产空间和成本。
声明:
“高密度培养两歧双杆菌的化学去胁迫法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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