本发明公开了一种用于抛光硒化镉晶体的化学机械抛光方法。该方法分为两步,通过采用配制的粗抛光液、精抛光液先后进行粗抛光和精抛光,控制抛光液流速、抛光压力、抛光转速和抛光时间,以解决晶体表面划痕、凹坑等表面损伤问题,实现短周期内得到纳米级表面粗糙度的高质量光滑表面。采用本发明的化学机械抛光工艺,综合去除速率约为500nm/min,可以在较短时间内去除表面损伤层。晶片表面损伤层较薄,无麻坑等抛光缺陷;原子力显微镜(AFM)检测显示粗糙度Ra值小于1nm,更优的可小于0.5nm,划痕深度小于2nm。每个加工周期耗时小于60min,大大提升了抛光效率,进一步的降低了抛光成本。
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