本发明公开了一种检测吡喹酮的钴基氮化物传感器的制备方法。属于新型纳米
功能材料与化学生物传感器技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了氮化钴纳米片阵列,利用其大的比表面积和对氨基的高吸附活性,采用原位生长的方法,相继在氮化钴纳米片阵列上直接相继制备了含有电子媒介体的聚多巴胺薄膜和以吡喹酮分子为模板分子的分子印迹聚合物,在将模板分子洗脱以后,原来的模板分子的位置变为了空穴,即洗脱模板分子的分子印迹聚合物,由此,一种检测吡喹酮的钴基氮化物传感器便制备完成。
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