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基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器及其用途

911   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:59:01
本发明涉及一种基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器,将DNA分子修饰在纳米多孔氧化铝膜中的纳米通道内,利用Hg2+和DNA分子内的T碱基分子的特殊配位反应(T‑Hg2+‑T),对水溶液体系中的Hg2+经行特异性识别,并通过电化学工作站监测探针离子Fe(CN)63‑在纳米通道中的流量变化对Hg2+进行检测。
声明:
“基于纳米通道限域效应的汞离子电化学传感器及其用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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