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基于MOSFET结构的DNA电化学传感器及其制备方法

803   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 06:58:59
本发明公开了一种基于MOSFET结构的DNA电化学传感器，包括CMOS衬底，所述CMOS衬底上沉积有氮化硅层，所述氮化硅层上覆盖二氧化硅绝缘层；其特征在于所述二氧化硅绝缘层为具有微孔结构的微孔阵列，所述微孔侧壁上SiO2绝缘层通过羧基偶联有DNA探针作为敏感元件。该微孔结构不但可以检测DNA探针与DNA靶标之间的结合而且可以在微孔中进行模板扩增有利于利用pH检测功能来检测DNA的合成，进而具有DNA测序功能。
声明：
“基于MOSFET结构的DNA电化学传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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