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高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的异戊巴比妥分子印迹电化学传感器及其制备方法

566   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:57:25
本发明公开了一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的异戊巴比妥分子印迹电化学传感器及其制备方法,以异戊巴比妥为模板分子、20(s)-O-雄甾-4-烯-17β-酰基喜树碱为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米氧化钴为掺杂剂,以松香为原料合成的马来松香丙烯酸乙二醇酯作为交联剂,据此制备了高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的异戊巴比妥分子印迹电化学传感器,该分析方法简单实用,克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。
声明:
“高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的异戊巴比妥分子印迹电化学传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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