本发明涉及基于SiO
2/PDA‑Ag纳米复合物减弱CeO
2‑CdS的脑利钠肽抗原光
电化学传感器的制备方法。本发明以CeO
2‑CdS作为基底材料并用可见光照射来获得光电流。CdS与CeO
2能带匹配良好,使光电转换效率大大提高。SiO
2/PDA‑Ag纳米复合物具有较大的空间位阻,其次Ag纳米颗粒与基底CdS之间存在能量转移,使光电响应实现双重减弱,增加了光电响应的变化值,从而提高了该传感器的灵敏度。根据不同浓度的待测物对光电信号强度的影响不同,实现了对脑利钠肽抗原的检测。其检测限为0.05 pg/mL。
声明:
“基于CeO2-CdS减弱型的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)