本发明涉及半导体生产和加工领域,更具体地说,涉及一种化学机械研磨方法。本发明提供了一种化学机械研磨方法,用于去除晶圆表面的金属膜,包括步骤:施加第一下压力,将晶圆表面的铜膜由初始厚度抛光至1000~2500;施加第二下压力,抛光所述晶圆5~10s;施加第三下压力,并采用光学终点检测法将剩余的铜膜抛光至50~100;其中,光学终点检测法监测晶圆表面的光学参数,当光学参数出现拐点时,即刻停止对晶圆抛光,结束化学机械研磨工艺。采用本发明提供的技术方案,能够在晶圆表面留存极薄厚度的铜膜,为后续无应力抛光工艺留下了操作空间。
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