本发明属半导体铜互连化学机械抛光工艺领域,具体涉及一种粗糙打磨垫化学机械抛光工艺模型的建立方法。该方法采用概率密度函数来表征打磨垫表面的高度特性,用自相关函数来表征打磨垫表面的横向特性,并采用谱展开方法和非线性变换方法生成符合给定概率密度特性的打磨垫粗糙表面。本发明方法不需要对打磨垫表面做任何的几何简化和近似,可以严格地表征打磨垫表面任意随机分布的几何特性,本方法利用接触力学方程精确求解打磨垫粗糙表面和
芯片表面的接触问题,从而实现对整个化学机械抛光工艺的建模,可用于检测化学机械抛光工艺的结果。
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