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香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法

906   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:57:21
本发明公开了一种香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法,其特征是:首先将玻碳电极用硅烷偶联剂和纳米金修饰。在反应器中,按如下组成质量百分浓度加入,二甲基丙烯酸乙二醇酯:12~22%,甲基丙烯酸甲酯:2.5~10%,N,N-二甲基甲酰胺:63~83%,偶氮二异丁酸二甲酯:1.0~2.0%,香豆素:1.0~4.0%,搅拌溶解,通氮气除氧10min,氮气氛围,75~80℃搅拌反应10~12h,用乙醇与盐酸混合溶液除去模板分子,干燥,即得香豆素分子印迹聚合物。再将聚合物涂到修饰电极上,制得香豆素分子印迹电化学传感器,该传感器与电化学工作站连接构成能够专一模板分子识别传感器。本发明制得的传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速,可反复使用。
声明:
“香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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